TransphormHighest Performance, Highest Reliability GaN

SuperGaN® 技术无与伦比     

设计第四代SuperGaN时,Transphorm的工程团队借鉴了以往产品的量产经验,加上对性能、可制造性和成本降低的持续推动,最终设计出一种具有极简特性和实质性改进的新产品。新平台的专利技术极具优势,可以增强Transphorm氮化镓器件固有的性能,并且可以简化封装和应用,而这些因素都是助力SuperGaN®品牌获得成功的催化剂。

在其专利技术的助推下,SuperGaN第四代技术可以提供诸多优势,包括:

  • 更高的性能: 第四代SuperGaN技术平台的效率曲线更高、也更平坦,品质因数(RON*QOSS)约改进了10%。
  • 更好的可设计性: 第四代SuperGaN技术在高工作电流下无需使用开关节点缓冲器,从而简化了设计导入。
  • 更强的瞬态电流变化(di/dt)应对能力:第四代SuperGaN技术消除了半桥中内置续流二极管功能的开关电流限制。
  • 更低的器件成本: 第四代SuperGaN技术的设计创新和专利技术还简化了器件封装,从而降低了成本,使Transphorm的氮化镓更接近于硅晶体管的价格。
  • 经验证的稳健性/可靠性: 第四代SuperGaN技术的35毫欧 晶体管的栅极稳健性和抗扰度分别为+/- 20 Vmax和4V,与Transphorm第三代器件相同。

Transphorm质量和可靠性

行业领先的氮化镓器件可靠性

每十亿小时FIT失效率

3.10

现场可靠性

器件现场使用小时数超

1.3M

质量和可靠性网络研讨会

高压氮化镓晶体管提高了功率密度,同时降低了系统尺寸和成本。然而,氮化镓FET的可靠性验证与硅基器件并不相同。

Transphorm的质量和可靠性专家为您解释如何验证氮化镓器件及其早期失效率、FIT失效率等可靠性指标,以及这些指标对终端应用系统有何影响。

常关型(Cascode)器件与增强型器件(e-mode)对比

Transphorm器件的质量和可靠性(Q+R)在很大程度上受益于我们对器件架构的设计选择。目前,共源共栅型(Cascode)是唯一一种经过实践验证能够助力氮化镓用于实际应用的器件配置。 Transphorm的氮化镓器件拥有更广泛的器件寿命、质量和可靠性等数据作为支撑,—其他器件配置(如p-GaN增强型)目前尚无法提供此类数据。

并非所有氮化镓都一样

共源共栅型器件对比目前的增强型器件

属性 共源共栅型 (Transphorm)* 增强型 (市售)*
质量、可靠性、寿命 扩展JEDEC、AEC-Q101、器件寿命测试 数据有限
器件击穿电压 (TJ = 150°C) (TJ = 150°C) 650V (产品合格标称值),1200V (测量值) (measured) 500V,600V (测量值) (measured
最大瞬态保护电压 800 V 750 V
栅极驱动安全系数 (RON @ VGS) 10 V 1 V
栅极驱动抗扰度 4.0 V (典型值) 1.7 V (典型值)
负压栅极驱动要求
压摆率控制
反向导通操作 (VSD) 2.2 V to 2.6 V 6 V to 9 V (由栅极驱动定义)
饱和电流限值 (TJ = 150°C) > 3倍于增强型 沟道和栅极电荷降低
并联 最多两个TO-XXX器件 可以超过两个器件
品质因数 (RON * QOSS) 行业标准 提高一点点,质量和可靠性降低
裸晶尺寸 行业标准 较小,质量和可靠性降低
散热性能 (72 mΩ) 50°C/1500W
83°C/2526W
80°C/1500W

*除非另有说明,否则数据均基于50毫欧器件。

市场应用

高压氮化镓技术可以惠及许多市场,满足他们对于更可靠、更高效、更高性能的功率转换的需求。最常用在下列应用领域:

基础设施和IT
电源

提高对标准化服务器和各种电信设备的清洁电力输出。

消费和计算
适配器,电竞电源

提高效率从而降低发热、提高功率密度和降低系统成本。

广泛的工业领域
电池充电器,UPS

减小工厂所运行系统的尺寸和重量,为纯电动叉车/电动汽车充电,确保关键数据的可访问性。

汽车
电动汽车,充电

让单次充电的行驶距离更远,同时降低总体系统成本。

5G
手机适配器,RF材料

实现5G设备的超快充电,还可用于生产N极氮化镓外延片,作为高达94GHz的高效射频解决方案的基底材料。

已投入实际应用的客户

Transphorm的客户目前生产的终端产品可以满足各种市场应用需求。以下是一些应用案例。

 

 

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