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SuperGaN® 技术无与伦比 
设计第四代SuperGaN时，Transphorm的工程团队借鉴了以往产品的量产经验，加上对性能、可制造性和成本降低的持续推动，最终设计出一种具有极简特性和实质性改进的新产品。新平台的专利技术极具优势，可以增强Transphorm氮化镓器件固有的性能，并且可以简化封装和应用，而这些因素都是助力SuperGaN®品牌获得成功的催化剂。
在其专利技术的助推下，SuperGaN第四代技术可以提供诸多优势，包括：
- 更高的性能： 第四代SuperGaN技术平台的效率曲线更高、也更平坦，品质因数（RON*QOSS）约改进了10%。
- 更好的可设计性： 第四代SuperGaN技术在高工作电流下无需使用开关节点缓冲器，从而简化了设计导入。
- 更强的瞬态电流变化（di/dt）应对能力：第四代SuperGaN技术消除了半桥中内置续流二极管功能的开关电流限制。
- 更低的器件成本： 第四代SuperGaN技术的设计创新和专利技术还简化了器件封装，从而降低了成本，使Transphorm的氮化镓更接近于硅晶体管的价格。
- 经验证的稳健性/可靠性： 第四代SuperGaN技术的35毫欧 晶体管的栅极稳健性和抗扰度分别为+/- 20 Vmax和4V，与Transphorm第三代器件相同。
Transphorm质量和可靠性
行业领先的氮化镓器件可靠性
每十亿小时FIT失效率
< 3.10
现场可靠性
器件现场使用小时数超
> 1.3M
常关型（Cascode）器件与增强型器件（e-mode）对比
Transphorm器件的质量和可靠性（Q+R）在很大程度上受益于我们对器件架构的设计选择。目前，共源共栅型（Cascode）是唯一一种经过实践验证能够助力氮化镓用于实际应用的器件配置。 Transphorm的氮化镓器件拥有更广泛的器件寿命、质量和可靠性等数据作为支撑，—其他器件配置（如p-GaN增强型）目前尚无法提供此类数据。
并非所有氮化镓都一样
共源共栅型器件对比目前的增强型器件
| 属性 | 共源共栅型 (Transphorm)* | 增强型 (市售)* |
|---|---|---|
| 质量、可靠性、寿命 | 扩展JEDEC、AEC-Q101、器件寿命测试 | 数据有限 |
| 器件击穿电压 (TJ = 150°C) (TJ = 150°C) | 650V (产品合格标称值)，1200V (测量值) (measured) | 500V，600V (测量值) (measured |
| 最大瞬态保护电压 | 800 V | 750 V |
| 栅极驱动安全系数 (RON @ VGS) | 10 V | 1 V |
| 栅极驱动抗扰度 | 4.0 V (典型值) | 1.7 V (典型值) |
| 负压栅极驱动要求 | 否 | 是 |
| 压摆率控制 | 是 | 是 |
| 反向导通操作 (VSD) | 2.2 V to 2.6 V | 6 V to 9 V (由栅极驱动定义) |
| 饱和电流限值 (TJ = 150°C) | > 3倍于增强型 | 沟道和栅极电荷降低 |
| 并联 | 最多两个TO-XXX器件 | 可以超过两个器件 |
| 品质因数 (RON * QOSS) | 行业标准 | 提高一点点，质量和可靠性降低 |
| 裸晶尺寸 | 行业标准 | 较小，质量和可靠性降低 |
| 散热性能 (72 mΩ) | 50°C/1500W 83°C/2526W |
80°C/1500W |
*除非另有说明，否则数据均基于50毫欧器件。
市场应用
高压氮化镓技术可以惠及许多市场，满足他们对于更可靠、更高效、更高性能的功率转换的需求。最常用在下列应用领域：
基础设施和IT
电源
提高对标准化服务器和各种电信设备的清洁电力输出。
消费和计算
适配器，电竞电源
提高效率从而降低发热、提高功率密度和降低系统成本。
泛工业领域
电池充电器，UPS
减小工厂所运行系统的尺寸和重量，为纯电动叉车/电动汽车充电，确保关键数据的可访问性。
汽车
电动汽车，充电
让单次充电的行驶距离更远，同时降低总体系统成本。
5G
手机适配器，RF材料
实现5G设备的超快充电，还可用于生产N极氮化镓外延片，作为高达94GHz的高效射频解决方案的基底材料。
已投入实际应用的客户
Transphorm的客户目前生产的终端产品可以满足各种市场应用需求。以下是一些应用案例。
